MT40A256M16LY-062E vs K4A4G165WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A256M16LY-062E 제조: Micron Technology 및 K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16LY-062E | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.30 | $16.90 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x16 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| Access Time (tAA) | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Data Rate Class | DDR4-2666 (062E speed grade) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| FBGA Code | D9XSG (AUT variant) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| Access Time | — | 19 ns |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |