MT40A256M16LY-062E vs K4A4G165WG-BCWE 比較
詳細な並列比較: MT40A256M16LY-062E メーカー: Micron Technology および K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A256M16LY-062E | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.30 | $16.90 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| メモリサイズ | 4 Gbit | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 256M x16 | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| Access Time (tAA) | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Data Rate Class | DDR4-2666 (062E speed grade) | — |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| FBGA Code | D9XSG (AUT variant) | — |
| RoHS ステータス | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| Access Time | — | 19 ns |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |