MT40A256M16LY-062E vs K4A4G165WG-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A256M16LY-062E par Micron Technology et K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A256M16LY-062E K4A4G165WG-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,30 $16,90
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Taille de mémoire 4 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x16 —
Interface Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Access Time (tAA) 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Data Rate Class DDR4-2666 (062E speed grade) —
Boîtier 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (IT variant) -40C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
FBGA Code D9XSG (AUT variant) —
Statut RoHS Compliant (F = RoHS/lead-free finish) Compliant (per JLCPCB listing)
Memory Organization — 256M x 16
Débit de données — 3200 Mbps
Access Time — 19 ns
Tension d'alimentation — 1.2 V
Température de fonctionnement — 0C to +85C
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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