MT40A512M16LY-062E-ATE vs K4A8G165WC-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-062E-ATE por Micron Technology y K4A8G165WC-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-062E-ATE K4A8G165WC-BCTD
Marca Micron Technology Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $34,10 $41,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Velocidad de datos 3200 MT/s (DDR4-3200) 2666 Mbps (DDR4-2666)
Clock Frequency 1.6 GHz 1.333 GHz
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VPP) 2.5 V —
Encapsulado 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
Ball Pitch 0.8 mm —
Temperatura de funcionamiento -40C to +105C (automotive) 0C to +95C
Speed Grade -062E (0.625 ns tCK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes (240 ohm resistor to GND)
Data Mask Yes (DM) —
Refresh Mode Auto self-refresh —
Tensión de alimentación — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Die Revision — C-die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes

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