MT40A512M16LY-062E-ATE vs K4A8G165WC-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16LY-062E-ATE от Micron Technology и K4A8G165WC-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ АктивенSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16LY-062E-ATE | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $34,10 | $41,20 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.333 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Рабочая температура | -40C to +105C (automotive) | 0C to +95C |
| Speed Grade | -062E (0.625 ns tCK) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Data Mask | Yes (DM) | — |
| Refresh Mode | Auto self-refresh | — |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |