MT40A512M16LY-062E-ATE vs K4A8G165WC-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E-ATE par Micron Technology et K4A8G165WC-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ ActifSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16LY-062E-ATE | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $34,10 | $41,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.333 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +105C (automotive) | 0C to +95C |
| Speed Grade | -062E (0.625 ns tCK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Data Mask | Yes (DM) | — |
| Refresh Mode | Auto self-refresh | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |