MT40A512M16LY-062E-ATE vs K4A8G165WC-BCTD 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16LY-062E-ATE メーカー: Micron Technology および K4A8G165WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ 生産中Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16LY-062E-ATE | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $34.10 | $41.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.333 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 動作温度 | -40C to +105C (automotive) | 0C to +95C |
| Speed Grade | -062E (0.625 ns tCK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (240 ohm resistor to GND) |
| Data Mask | Yes (DM) | — |
| Refresh Mode | Auto self-refresh | — |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Revision | — | C-die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |