NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology y NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $75,58 | $8,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| Encapsulado | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Frecuencia de reloj máxima | — | 1200 MHz |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |