NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16C4-JRI от Nanya Technology и NT5AD512M16A4-GZ от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $75,58 | $8,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2V |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| Корпус | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Максимальная тактовая частота | — | 1200 MHz |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |