NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-JRI von Nanya Technology und NT5AD512M16A4-GZ von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $75,58 | $8,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2V |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| Gehäuse | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Maximale Taktfrequenz | — | 1200 MHz |
| Datenbusbreite | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |