NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology e NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $75,58 | $8,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2V |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| Encapsulamento | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| Frequência máxima de clock | — | 1200 MHz |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |