NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JRI メーカー: Nanya Technology および NT5AD512M16A4-GZ メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $75.58 | $8.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2V |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| パッケージ | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| 最大クロック周波数 | — | 1200 MHz |
| データバス幅 | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |