NT6AN8T6WBJ1B1 vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology y H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT6AN8T6WBJ1B1 | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,75 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latencia CAS | 22 cycles | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BC4) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |