NT6AN8T6WBJ1B1 vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較
詳細な並列比較: NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology および H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT6AN8T6WBJ1B1 | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.75 | $60.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (512M x 16) | — |
| データレート | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CASレイテンシ | 22 cycles | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BC4) |
| パッケージ | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| 動作温度 | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |