NT6AN8T6WBJ1B1 vs H5AN8G6NCJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT6AN8T6WBJ1B1 제조: Nanya Technology 및 H5AN8G6NCJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT6AN8T6WBJ1B1 | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.75 | $60.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (512M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS 레이턴시 | 22 cycles | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BC4) |
| 패키지 | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| 동작 온도 | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |