NT6AN8T6WBJ1B1 vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology et H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T6WBJ1B1 | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,75 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latence CAS | 22 cycles | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BC4) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |