TJ60S06M3L(T6L1NQ vs TJ60S06M3LT6L1.NQ Comparación

Comparación detallada lado a lado de TJ60S06M3L(T6L1NQ por Toshiba y TJ60S06M3LT6L1.NQ por Toshiba. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ - 60V 60A P-Ch MOSFET DPAK+ | Toshiba

TJ60S06M3L(T6L1,NQ - 60V 60A P-Ch MOSFET DPAK+ | Toshiba

TJ60S06M3L(T6L1NQ ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3LT6L1.NQ
Marca Toshiba Toshiba
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,52
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Technology Silicon U-MOS (trench) Toshiba U-MOS (silicon)
Drain-Source Voltage (VDSS) -60 V —
Gate-Source Voltage (VGSS) +10 V / -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -60 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 100 W (Tc) —
RDS(ON) Max @ VGS = -10 V 14.5 mOhm —
RDS(ON) Typ @ VGS = -10 V 11.2 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vth) -3.0 V typ (VDS = -1 mA, enhancement mode) —
Input Capacitance (Ciss) 7760 pF typ 7760 pF
Leakage Current (IDSS) Max -10 uA (VDS = -40 V) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado DPAK+ (TO-252-3) DPAK+ (TO-252)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Polarity — P-channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -60 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 100 W
RDS(on) Max at VGS=-10V — 0.0112 ohm
FET Type — MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Automotive Qualified — Yes (per Toshiba product positioning)

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