TJ60S06M3L(T6L1NQ vs TJ60S06M3LT6L1.NQ Comparação
Comparação detalhada lado a lado de TJ60S06M3L(T6L1NQ por Toshiba e TJ60S06M3LT6L1.NQ por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | TJ60S06M3L(T6L1NQ | TJ60S06M3LT6L1.NQ |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | Toshiba |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,92 | $0,52 |
| Tipo de transistor | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | Silicon U-MOS (trench) | Toshiba U-MOS (silicon) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | -60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGSS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -60 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 100 W (Tc) | — |
| RDS(ON) Max @ VGS = -10 V | 14.5 mOhm | — |
| RDS(ON) Typ @ VGS = -10 V | 11.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | -3.0 V typ (VDS = -1 mA, enhancement mode) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF typ | 7760 pF |
| Leakage Current (IDSS) Max | -10 uA (VDS = -40 V) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | — |
| Encapsulamento | DPAK+ (TO-252-3) | DPAK+ (TO-252) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | P-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +10 V / -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -60 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | — | 0.0112 ohm |
| FET Type | — | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Temperatura de operação | — | -55C to +150C (Tj) |
| Nível MSL | — | 1 (unlimited) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Toshiba product positioning) |