TJ60S06M3L(T6L1NQ vs TJ60S06M3LT6L1.NQ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TJ60S06M3L(T6L1NQ par Toshiba et TJ60S06M3LT6L1.NQ par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ - 60V 60A P-Ch MOSFET DPAK+ | Toshiba

TJ60S06M3L(T6L1,NQ - 60V 60A P-Ch MOSFET DPAK+ | Toshiba

TJ60S06M3L(T6L1NQ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre TJ60S06M3L(T6L1NQ TJ60S06M3LT6L1.NQ
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,52
Type de transistor P-Channel MOSFET —
Technology Silicon U-MOS (trench) Toshiba U-MOS (silicon)
Drain-Source Voltage (VDSS) -60 V —
Gate-Source Voltage (VGSS) +10 V / -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -60 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 100 W (Tc) —
RDS(ON) Max @ VGS = -10 V 14.5 mOhm —
RDS(ON) Typ @ VGS = -10 V 11.2 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vth) -3.0 V typ (VDS = -1 mA, enhancement mode) —
Input Capacitance (Ciss) 7760 pF typ 7760 pF
Leakage Current (IDSS) Max -10 uA (VDS = -40 V) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier DPAK+ (TO-252-3) DPAK+ (TO-252)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Polarity — P-channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -60 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 100 W
RDS(on) Max at VGS=-10V — 0.0112 ohm
FET Type — MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Automotive Qualified — Yes (per Toshiba product positioning)

Fiches techniques et ressources

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