2EDR8258XXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDR8258XXUMA1 توسط Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDR8258XXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Isolated single-channel gate driver Half-Bridge Gate Driver IC
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Junction-isolated
Number of Channels 1 —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (HS + LS)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C -40C to +125C
بسته‌بندی PG-DSO-14 (14-pin) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت