BSC011N03LSTATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC011N03LSTATMA1 توسط Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC011N03LSTATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر NRND فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET —
Configuration Single with built-in diode —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت