BSC011N03LSTATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC011N03LSTATMA1 מאת Infineon ו IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC011N03LSTATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET —
Configuration Single with built-in diode —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר