BSC0993NDATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0993NDATMA1 توسط Infineon و IAUZ40N06S5N050ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0993NDATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
بسته‌بندی PG-TISON-8 PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (Trench)
Channel Mode Enhancement —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55C to +175C
ESD Protection Yes (integrated) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on), typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
Maximum Power Dissipation (PD) — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
تعداد پایه — 8
Thermal Resistance (RthJC, max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Packaging — Tape & Reel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت