BSS87H6327FTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS87H6327FTSA1 توسط Infineon و BSP315PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS87H6327FTSA1 BSP315PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
بسته‌بندی PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
تعداد پایه 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت