BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ130N03LSGATMA1 توسط Infineon و BSC010NE2LSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ130N03LSGATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (TJ)
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series / Family — OptiMOS 25V
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Technology — OptiMOS (Trench)
تعداد پایه — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت