BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC010NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ130N03LSGATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
پیکیج PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (TJ)
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series / Family — OptiMOS 25V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Technology — OptiMOS (Trench)
پن کی تعداد — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں