BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ130N03LSGATMA1 bằng Infineon và BSC010NE2LSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon

BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon

BSZ130N03LSGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ130N03LSGATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Trực流连续电流 (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Hộp PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (TJ)
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series / Family — OptiMOS 25V
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Technology — OptiMOS (Trench)
Số chân — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá