BSZ130N03LSGATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ130N03LSGATMA1 توسط Infineon و BSZ110N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSZ130N03LSGATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | 10 A | — |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | 35 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 13 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | 2.2 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 25 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial (non-automotive) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |