BSZ900N20NS3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ900N20NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC0906NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ900N20NS3GATMA1 BSC0906NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Part Number BSZ900N20NS3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 15.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 90 mΩ —
Typical RDS(on) @ VGS=10V 77 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 62.5 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
ESD Protection Yes (integrated) —
Avalanche Energy Rated Yes (EAS) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction, typical)
تعداد پایه — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت