H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-PBC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| نوع رابط | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| اندازه حافظه | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | — | Tray |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |