H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-UHI مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHCR توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHI توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHI
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
سازمان 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) DDR4-2400 (PC4-19200)
ولتاژ تغذیه 1.2 V (VDD) —
رابط DDR4 SSTL12 JEDEC DDR4 SDRAM
Internal Prefetch 8n —
بسته‌بندی 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
نوع نصب Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] Self-refresh and auto-refresh support
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
نرخ داده — 2400 MT/s
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
Termination — On-die termination (ODT)
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت