H5AN8G4NAFR-RDC vs MT40A1G8AG-062E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G4NAFR-RDC توسط SK hynix و MT40A1G8AG-062E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ فعال
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G4NAFR-RDC MT40A1G8AG-062E
برند SK hynix Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb —
سازمان 1G x 4 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
بسته‌بندی FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
رابط Synchronous, differential clock CK_t/CK_c Parallel
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (BGA)
وضعیت RoHS Compliant (Lead-Free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
بدون هالوژن Yes —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
اندازه حافظه — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت