H5AN8G4NAFR-RDC vs MT40A1G8AG-062E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G4NAFR-RDC מאת SK hynix ו MT40A1G8AG-062E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ פעיל
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN8G4NAFR-RDC MT40A1G8AG-062E
מותג SK hynix Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb —
ארגון 1G x 4 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
מארז FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
ממשק Synchronous, differential clock CK_t/CK_c Parallel
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (BGA)
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
נטול הלוגנים Yes —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
גודל זיכרון — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר