H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G4NAFR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G4NAFR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G4NAFR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G4NAFR-UHC | H5AN8G4NAFR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | SK hynix (Hynix Semiconductor) | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 2G x4 | 2Gb x 4 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Speed Grade | UHC | — |
| رابط | Synchronous, dual rising/falling clock edges | — |
| Clock Input | Differential CK_t / CK_c | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Family Variants | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] | — |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V +/- 0.06 V |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | — | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) |
| Speed Bins (per datasheet) | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) |
| Bank Groups | — | 4 (BG0-BG1) |
| Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Row Address | — | A0-A16 (17 bits) |
| Technology | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (RoHS Compliant per datasheet) |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] |
| Geardown Mode Note | — | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled |