H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G4NAFR-PBC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G4NAFR-UHC מאת SK hynix ו H5AN8G4NAFR-PBC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ פעיל
SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-PBC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs DRAM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
סוג זיכרון DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
ארגון 2G x4 2Gb x 4
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
ממשק Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
מארז 78-ball FBGA 78-ball FBGA
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר