H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-RDC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NAFR-UHI توسط SK hynix و H5AN8G8NAFR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-RDC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
سازمان 1G x 8 1G x 8 (x8)
نرخ داده DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
رابط DDR4 (JEDEC-class) DDR4 (Double Data Rate 4)
بسته‌بندی 78-ball FBGA 78-ball FBGA
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Technology CMOS —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
سطح MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gbit
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت