H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G6NCJR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NCJR-VKI توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 1G x8 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 2666 Mbps (MT/s) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 | FBGA-96 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0C to +95C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |