IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC90N10S5N062ATMA1 توسط Infineon و IAUC50N08S5L096ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes Yes
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت