IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUS260N10S5N019TATMA1 توسط Infineon و IGLR70R200D2SXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUS260N10S5N019TATMA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| بسته‌بندی | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| تعداد پایه | 16 | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C (Tj) | -40 °C to +150 °C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | CoolGaN G5 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 9.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 1.26 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |