IAUZ40N06S5N050ATMA1 vs BSC0993NDATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZ40N06S5N050ATMA1 توسط Infineon و BSC0993NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUZ40N06S5N050ATMA1 BSC0993NDATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on), typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
Maximum Power Dissipation (PD) 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.7 V —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) PG-TISON-8
تعداد پایه 8 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Thermal Resistance (RthJC, max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت