IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZN04S7L025ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N027GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 - 40V 117A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET SSO4G 5x6

IAUCN04S7N027GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUZN04S7L025ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-44 (S3O8) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL]
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
بسته‌بندی / کیس — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Qualification — Automotive
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
وضعیت RoHS — Compliant
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت