IPB068N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB068N20NM6ATMA1 توسط Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB068N20NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 6 charge-compensation trench | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 15.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 134 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 68 milliohm | 15.1 mΩ |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | 42% lower | — |
| بسته‌بندی | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) | PG-TDSON-8 FL |
| تعداد پایه | 3 (2 + tab) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Tape and Reel Packaging | Yes (ATMA1 suffix = T&R) | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| تعداد پین‌ها | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |