IPB068N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB068N20NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC151N08NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB068N20NM6ATMA1 - 200V 68mOhm N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPB068N20NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB068N20NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 6 charge-compensation trench | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 15.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 134 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 68 milliohm | 15.1 mΩ |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | 42% lower | — |
| Hộp | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) | PG-TDSON-8 FL |
| Số chân | 3 (2 + tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Tape and Reel Packaging | Yes (ATMA1 suffix = T&R) | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Số lượng chân | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |