IPB068N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB068N20NM6ATMA1 מאת Infineon ו ISC151N08NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB068N20NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 6 charge-compensation trench | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 15.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 134 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 68 milliohm | 15.1 mΩ |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | 42% lower | — |
| מארז | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) | PG-TDSON-8 FL |
| מספר פינים | 3 (2 + tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Tape and Reel Packaging | Yes (ATMA1 suffix = T&R) | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| מספר פינים | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |