IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB60R165CPATMA1 توسط Infineon و IPD60R210PFD7SAUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB60R165CPATMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (SMT)
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free lead plating) —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت