IPD052N10NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD052N10NF2SATMA1 توسط Infineon و BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD052N10NF2SATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| دمای اتصال کاری | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |