IPD70N10S312ATMA2 vs BSZ110N08NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD70N10S312ATMA2 توسط Infineon و BSZ110N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD70N10S312ATMA2 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |