IPD80R750P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD80R750P7ATMA1 توسط Infineon و IPD65R380E6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD80R750P7ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ E6 |
| Part Number | IPD80R750P7ATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS (Super-Junction) | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 7 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 750 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 51 W | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Protection | Integrated Zener (ESD protected) | — |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +150 °C |
| بسته‌بندی | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| سطح MSL | — | 1 |