IPL60R065C7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL60R065C7AUMA1 توسط Infineon و IPW60R037P7XKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL60R065C7AUMA1 IPW60R037P7XKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS™ P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A —
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
بسته‌بندی / کیس PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
نوع نصب Surface Mount Through Hole
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C (T_J) —
وضعیت RoHS Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
بسته‌بندی — PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS Superjunction (SJ)
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت