IPL60R065C7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R065C7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R037P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R065C7AUMA1 IPW60R037P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS™ P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A —
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
پیکیج / کیس PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (T_J) —
RoHS اسٹیٹس Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
پیکیج — PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS Superjunction (SJ)
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں